Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 233

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252
0.0
RD3S100CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяRD3S100CNTL1 КорпусTO252
103.92 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3S100CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 10А; Idm: 40А; 85Вт; TO252" 2500.

RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F
0.0
RD3T075CNTL1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяRD3T075CNTL1 КорпусSOT416F
359.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RD3T075CNTL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 7,5А; Idm: 30А; 52Вт; SOT416F" 1.

RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт
0.0
RE1C001UNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C001UNTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
52.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
0.0
RE1C002UNTCL
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1C002UNTCL КорпусSC89
34.92 ₽
Доступность: 2336 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
0.0
RE1J002YNTCL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1J002YNTCL КорпусSOT416F МонтажSMD
56.22 ₽
Доступность: 456 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F
0.0
RE1L002SNTL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRE1L002SNTL КорпусSOT416F МонтажSMD
52.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080BNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяRF4E080BNTR КорпусDFN2020-8S
127.77 ₽
Доступность: 2953 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E080GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC Код производителяRF4E080GNTR КорпусDFN2020-8S
123.51 ₽
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E100AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяRF4E100AJTCR КорпусDFN2020-8S
215.50 ₽
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S
0.0
RF4E110GNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC Код производителяRF4E110GNTR КорпусDFN2020-8S
94.55 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T
0.0
RF6E045AJTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC Код производителяRF6E045AJTCR КорпусSOT363T
124.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK
0.0
RFD12N06RLESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяRFD12N06RLESM9A КорпусDPAK
224.02 ₽
Доступность: 1431 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK" 1.

RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05LSM
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRFD14N05LSM КорпусDPAK
134.58 ₽
Доступность: 59 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRFD14N05LSM9A КорпусDPAK
160.99 ₽
Доступность: 993 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
0.0
RFD14N05SM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяRFD14N05SM9A КорпусDPAK
95.40 ₽
Доступность: 3573 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK
0.0
RFD16N05LSM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRFD16N05LSM9A КорпусDPAK
249.57 ₽
Доступность: 2123 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK" 1.

RFD16N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 72Вт; DPAK
0.0
RFD16N05SM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRFD16N05SM9A КорпусDPAK
120.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 72Вт; DPAK" 2500.

RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
0.0
RFD16N06LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC Код производителяRFD16N06LESM9A КорпусDPAK
340.72 ₽
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK" 1.

RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK
0.0
RFD3055LESM9A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC Код производителяRFD3055LESM9A КорпусDPAK
93.70 ₽
Доступность: 1830 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK" 1.

RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт
0.0
RFM04U6P
Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,3Вт Код производителяRFM04U6P(TE12L,F)
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж