Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 234

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3
0.0
RHK003N06FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяRHK003N06FRAT146 КорпусSMT3
108.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHK003N06FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SMT3" 1.

RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяRHP020N06FRAT100 КорпусMPT3
68.99 ₽
Доступность: 671 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC Код производителяRHP020N06T100 КорпусMPT3
169.51 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3
0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяRHP030N03T100 КорпусMPT3
189.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC Код производителяRHU002N06FRAT106 КорпусUMT3
76.66 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3
0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRHU003N03FRAT106 КорпусUMT3 МонтажSMD
43.44 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

RJ1G12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK
0.0
RJ1G12BGNTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяRJ1G12BGNTLL КорпусD2PAK
368.82 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1G12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

RJ1L12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 240А; 192Вт; D2PAK
0.0
RJ1L12BGNTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC Код производителяRJ1L12BGNTLL КорпусD2PAK
402.90 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1L12BGNTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; Idm: 240А; 192Вт; D2PAK" 1000.

RJ1P12BBDTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK
0.0
RJ1P12BBDTLL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC Код производителяRJ1P12BBDTLL КорпусD2PAK
321.98 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJ1P12BBDTLL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 240А; 178Вт; D2PAK" 1000.

RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3
0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC Код производителяRJK005N03FRAT146 КорпусSMT3
74.11 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRJP020N06FRAT100 КорпусMPT3
172.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC Код производителяRJP020N06T100 КорпусMPT3
209.54 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3
0.0
RJU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRJU002N06FRAT106 КорпусUMT3 МонтажSMD
62.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD
0.0
RJU003N03FRAT106
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRJU003N03FRAT106 КорпусSC70, SOT323
67.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3
0.0
RK7002AT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC Код производителяRK7002AT116 КорпусSST3
17.89 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3
0.0
RK7002BMHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRK7002BMHZGT116 КорпусSST3 МонтажSMD
35.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD
0.0
RK7002BMT116
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяRK7002BMT116 КорпусSOT23
28.96 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1C075UNTR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяRQ1C075UNTR КорпусTSMT8
164.40 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1C075UNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8
0.0
RQ1E075XNTCR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяRQ1E075XNTCR КорпусTSMT8
149.91 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ1E075XNTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; TSMT8" 1.

RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8
0.0
RQ3E070BNTB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC Код производителяRQ3E070BNTB КорпусHSMT8
108.18 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RQ3E070BNTB, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 15А; Idm: 28А; 13Вт; HSMT8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж