Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 250

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусSO8 МонтажSMD
132.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 25А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
141.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4436DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,8А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4442DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 22А; Idm: 60А; 3,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4456DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 33А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
256.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4464DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 2,2А; Idm: 8А; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4488DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 5А; Idm: 50А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSO8 МонтажSMD
409.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4488DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 2,8А; Idm: 50А; 1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,2А; 3,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 4А; Idm: 40А; 3,1Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4490DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,85А; Idm: 40А; 1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4626ADY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А; 6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4630DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора161нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4630DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 70А; 7,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4634DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4634DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24,5А; Idm: 70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
114.68 
Доступность: 1224 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4686DY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 14,5А; 3,3Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4686DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 18,2А; Idm: 50А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж