Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 258

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSI7880ADP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7880ADP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC Код производителяSI7880ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSI7884BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7884BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 58А; Idm: 50А; 46Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSI7892BDP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7892BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 60А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI7898DP-T1-E3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7898DP-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 4,8А; Idm: 25А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI7898DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7898DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 3А; Idm: 25А; 1,2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI8406DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8406DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16А; Idm: 30А; 13Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSI8410DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8410DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 5,7А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC Код производителяSI8416DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8416DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 16А; Idm: 20А; 13Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSI8424CDB-T1-E1 КорпусMICROFOOT® 1.6x1.6
91.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8424CDB-T1-E1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 10А; Idm: 25А; 1,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSI8466EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8466EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 5,4А; Idm: 20А; 1,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSI8472DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8472DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 4,5А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,3нC Код производителяSI8800EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8800EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,8А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC Код производителяSI8802DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8802DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 3,5А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8806DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8806DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 3,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSI8808DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8808DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI8810EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8810EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSI8812DB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8812DB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 3,2А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSI8816EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8816EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2,3А; Idm: 8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC Код производителяSI8824EDB-T2-E1 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI8824EDB-T2-E1, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 2,9А; Idm: 15А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж