Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 263

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт
0.0
SIHB17N80E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB17N80E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 008.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB17N80E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 10А; Idm: 45А; 208Вт" 1.

SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт
0.0
SIHB180N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSIHB180N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
637.14 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB180N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 156Вт" 1.

SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт
0.0
SIHB20N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора92нC Код производителяSIHB20N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
712.10 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB20N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт" 1.

SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт
0.0
SIHB21N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIHB21N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
910.56 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 53А; 227Вт" 1.

SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт
0.0
SIHB21N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора106нC Код производителяSIHB21N65EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
912.27 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 13А; Idm: 53А; 208Вт" 1.

SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт
0.0
SIHB21N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC Код производителяSIHB21N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
691.65 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB21N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт" 1.

SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт
0.0
SIHB22N60AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора443нC Код производителяSIHB22N60AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
860.31 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 51А; Idm: 268А; 520Вт" 1.

SIHB22N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт
0.0
SIHB22N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
0.00 ₽
Доступность: 240 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт
0.0
SIHB22N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC Код производителяSIHB22N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
809.20 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 46А; 179Вт" 1.

SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт
0.0
SIHB22N60EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC Код производителяSIHB22N60EL-GE3 КорпусD2PAK, TO263
946.34 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 45А; 227Вт" 1.

SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт
0.0
SIHB22N60ET1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60ET1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
807.50 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт
0.0
SIHB22N60ET5-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB22N60ET5-GE3 КорпусD2PAK, TO263
850.94 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N60ET5-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт
0.0
SIHB22N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIHB22N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
905.45 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB22N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 56А; 227Вт" 1.

SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт
0.0
SIHB23N60E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIHB23N60E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
865.42 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB23N60E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 63А; 227Вт" 1.

SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт
0.0
SIHB24N65E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 177.17 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 16А; Idm: 70А; 250Вт" 1.

SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт
0.0
SIHB24N65EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 052.81 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 65А; 250Вт" 1.

SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт
0.0
SIHB24N65EFT1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSIHB24N65EFT1-GE3 КорпусD2PAK, TO263
835.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N65EFT1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 24А; Idm: 65А; 250Вт" 800.

SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт
0.0
SIHB24N80AE-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяSIHB24N80AE-GE3 КорпусD2PAK, TO263
507.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB24N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт" 1.

SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт
0.0
SIHB25N50E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSIHB25N50E-GE3 КорпусD2PAK, TO263
822.83 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB25N50E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 16А; Idm: 50А; 250Вт" 1.

SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт
0.0
SIHB28N60EF-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC Код производителяSIHB28N60EF-GE3 КорпусD2PAK, TO263
1 252.13 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHB28N60EF-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 75А; 250Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж