Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 259

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSI9926CDY-T1-GE3 КорпусSO8
333.90 
Доступность: 2300 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI9926CDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSI9945BDY-T1-GE3 КорпусSO8
213.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI9945BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8" 5.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяSIA106DJ-T1-GE3 МонтажSMD
87.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA106DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA108DJ-T1-GE3 МонтажSMD
82.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA108DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 12А; Idm: 30А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC Код производителяSIA110DJ-T1-GE3 МонтажSMD
103.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA110DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 12А; Idm: 20А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,8нC Код производителяSIA112LDJ-T1-GE3 МонтажSMD
74.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA112LDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 8,8А; Idm: 10А" 6000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA400EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA400EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIA414DJ-T1-GE3 МонтажSMD
96.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA414DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC Код производителяSIA416DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA416DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,3А; Idm: 15А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIA430DJT-T1-GE3 МонтажSMD
47.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA430DJT-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 12А; Idm: 40А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA432DJ-T1-GE3 МонтажSMD
121.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA432DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,2нC Код производителяSIA436DJ-T1-GE3 МонтажSMD
65.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA436DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 8В; 12А; Idm: 50А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIA440DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
109.03 
Доступность: 268 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIA440DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC Код производителяSIA446DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
180.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA446DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 7,7А; Idm: 10А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSIA456DJ-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SC70
132.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA456DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC Код производителяSIA462DJ-T1-GE3 МонтажSMD
30.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA462DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 40А; 19Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIA466EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
67.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA466EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 25А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSIA468DJ-T1-GE3 МонтажSMD
57.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA468DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 37,8А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIA472EDJ-T1-GE3 МонтажSMD
51.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIA472EDJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяSIAA00DJ-T1-GE3 МонтажSMD
71.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIAA00DJ-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 40А; Idm: 80А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж