Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 268

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
790.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH080N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 96А; 184Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
917.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH100N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 18А; Idm: 63А; 174Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
729.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH105N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 59А; 174Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
709.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 27А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
712.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8А; Idm: 27А; 130Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
712.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH11N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 27А; 130Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
891.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH120N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 15А; Idm: 57А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
955.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; Idm: 66А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
637.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10А; Idm: 38А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
724.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N60EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; Idm: 38А; 147Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
764.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
810.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH14N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
677.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH180N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
836.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH20N50E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 14А; Idm: 53А; 174Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
657.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 104Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора99нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 177.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,8А; Idm: 53А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 215.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH21N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,5А; Idm: 53А; 156Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 174.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH24N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 15А; Idm: 58А; 202Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 204.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH24N65EF-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 14А; Idm: 55А; 202Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
837.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH26N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; Idm: 50А; 202Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж