Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 30

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт
0.0
BSB012NE2LXIXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB012NE2LXIXUMA1 КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB012NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 170А; 57Вт" 1.

BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт
0.0
BSB013NE2LXIXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB013NE2LXIXUMA1 КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB013NE2LXIXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 103А; 57Вт" 1.

BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
0.0
BSB014N04LX3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB014N04LX3GXUMA1 КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB014N04LX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт
0.0
BSB015N04NX3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB015N04NX3GXUMA1 КорпусCanPAK™ MX, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB015N04NX3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 89Вт" 1.

BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт
0.0
BSB028N06NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB028N06NN3GXUMA1 КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB028N06NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 78Вт" 1.

BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт
0.0
BSB044N08NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB044N08NN3GXUMA1 КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB044N08NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 68А; 78Вт" 1.

BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт
0.0
BSB056N10NN3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB056N10NN3GXUMA1 КорпусCanPAK™ MN, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB056N10NN3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 52А; 78Вт" 1.

BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт
0.0
BSB104N08NP3GXUSA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB104N08NP3GXUSA1 КорпусCanPAK™ M, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB104N08NP3GXUSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 32А; 48Вт" 1.

BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт
0.0
BSB165N15NZ3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB165N15NZ3GXUMA1 КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB165N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 45А; 78Вт" 1.

BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт
0.0
BSB280N15NZ3GXUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSB280N15NZ3GXUMA1 КорпусCanPAK™ MZ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSB280N15NZ3GXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 30А; 57Вт" 1.

BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт
0.0
BSC007N04LS6ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC Код производителяBSC007N04LS6ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 FL
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC007N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 138Вт" 1.

BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC009NE2LS5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC009NE2LS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC009NE2LS5IATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC009NE2LS5IATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC009NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC009NE2LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC009NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт
0.0
BSC010N04LS6ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC Код производителяBSC010N04LS6ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 FL
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC010N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 150Вт" 1.

BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC010N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC010N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC010N04LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC010N04LSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC010N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC010NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC010NE2LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC010NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC010NE2LSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение сток-исток25В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC010NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 38А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC011N03LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC011N03LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж