Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 33

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BSC040N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC040N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC040N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC040N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC040N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC040N10NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC040N10NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC040N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC042N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC042N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
251.70 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC042N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC042N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
239.80 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC042NE7NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC042NE7NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC042NE7NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042NE7NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC046N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC046N10NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC046N10NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC046N10NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC047N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC047N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC047N08NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC047N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC0501NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC0501NSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0501NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0501NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC0503NSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0503NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
222.79 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC0504NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 64А; 30Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC0504NSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC0504NSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0504NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 64А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC050N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
53.57 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8" 2500.

BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC050N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
151.36 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC050N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC050N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.85 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC050NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 28Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC050NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC050NE2LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 39А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 95А; 83Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC052N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC052N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
153.06 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 95А; 83Вт; PG-TDSON-8" 5000.

BSC054N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 81А; 57Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC054N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC054N04NSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
80.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC054N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 81А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC057N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 45Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC057N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC057N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
59.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC057N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC057N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
59.52 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

BSC057N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 114Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC057N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC057N08NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC059N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 38Вт
0.0
BSC059N04LS6ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC Код производителяBSC059N04LS6ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 FL
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC059N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 38Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж