Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 32

Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC026N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC026N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC026NE2LS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC026NE2LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 66А; 29Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC027N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC027N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC027N06LS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC027N06LS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 60В; 84А; Idm: 400А; 83Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC028N06LS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC028N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC028N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
484.69 
Доступность: 1360 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC030N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC030N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 98А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC030N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC030N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC030N04NSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.14 
Доступность: 3255 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC030N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC030N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC031N06NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC031N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC032N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.60 
Доступность: 1117 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC032NE2LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC032NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 84А; 37Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC034N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
267.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC034N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC034N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC035N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
215.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC035N10NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
329.08 
Доступность: 3537 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC036NE7NS3GATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC036NE7NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC037N08NS5ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC037N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 114Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяBSC039N06NS КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
346.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC039N06NS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж