Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 31

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N SMD
Транзисторы с каналом N THT
Фильтры товаров
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC011N03LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC011N03LSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC011N03LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC014N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC014N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014N04LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC014N04LSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014N04LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC014N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
634.35 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC014NE2LSIATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC014NE2LSIATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014NE2LSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 74Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC016N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
291.67 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC016N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC016N03MSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC016N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC016N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC016N06NSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC016N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC017N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC017N04NSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC017N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 139Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC018N04LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
227.04 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC019N02KSGAUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC019N02KSGAUMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC019N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 104Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC019N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC019N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC019N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC019N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC019N04NSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC019N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC022N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт
0.0
BSC022N04LS6ATMA1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC Код производителяBSC022N04LS6ATMA1 КорпусPG-TDSON-8 FL
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC022N04LS6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 100А; 79Вт" 1.

BSC022N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC022N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC022N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC022N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC024NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 48Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC024NE2LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC024NE2LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC024NE2LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 25А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC025N03LSGATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.60 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC026N02KSGAUMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC026N02KSGAUMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC026N02KSGAUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

BSC026N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 63Вт; PG-TDSON-8
0.0
BSC026N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный Код производителяBSC026N04LSATMA1 КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC026N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 63Вт; PG-TDSON-8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж