Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
80
SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А
0.0
SIR4608DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍106‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А" 3000.

SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт
0.0
SIR460DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍131‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А
0.0
SIR462DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍92‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А" 3000.

SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт
0.0
SIR464DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍158‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт
0.0
SIR466DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт" 3000.

SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
0.0
SIR470DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍418‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А
0.0
SIR474DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍89‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А
0.0
SIR500DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А
0.0
SIR5102DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍321‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А
0.0
SIR510DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А
0.0
SIR516DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А
0.0
SIR5708DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍154‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А
0.0
SIR570DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍260‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А
0.0
SIR572DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍212‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А
0.0
SIR574DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍156‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А
0.0
SIR576DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍134‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А
0.0
SIR578DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А" 3000.

SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А
0.0
SIR5802DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍200‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А" 3000.

SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А
0.0
SIR580DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍360‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А
0.0
SIR582DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А" 3000.

SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А
0.0
SIR584DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А" 3000.

SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А
0.0
SIR606BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А" 3000.

SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А
0.0
SIR606DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍178‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А" 3000.

SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А
0.0
SIR608DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍183‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А
0.0
SIR610DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А" 3000.

SIR616DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А
0.0
SIR616DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍156‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR616DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А" 3000.

SIR618DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 14,2А; Idm: 30А
0.0
SIR618DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍118‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR618DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 14,2А; Idm: 30А" 3000.

SIR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А
0.0
SIR622DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍175‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 3000.

SIR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А
0.0
SIR622DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍268‍ ₽
Доступность: 5662 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 1.

SIR624DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А
0.0
SIR624DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍118‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

SIR624DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А
0.0
SIR624DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍119‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

SIR626ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 165А; Idm: 300А
0.0
SIR626ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍238‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR626ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 165А; Idm: 300А" 3000.

SIR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8
0.0
SIR626DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍326‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8" 1.

SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А
0.0
SIR626LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍294‍ ₽
Доступность: 2509 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А" 1.

SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А
0.0
SIR632DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А" 1.

SIR638ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIR638ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍199‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR638ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

SIR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIR638DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍233‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

SIR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIR638DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍197‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

SIR640ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 350А
0.0
SIR640ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR640ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 350А" 3000.

SIR664DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 50Вт
0.0
SIR664DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍115‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR664DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 50Вт" 3000.

SIR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 93,6А; Idm: 200А
0.0
SIR668ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 93,6А; Idm: 200А" 3000.

SIR668DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А
0.0
SIR668DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍275‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR668DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

SIR670DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А
0.0
SIR670DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍143‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR670DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А" 3000.

SIR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 125А; Idm: 300А
0.0
SIR680ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍263‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 125А; Idm: 300А" 3000.

SIR680DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А
0.0
SIR680DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR680DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

SIR680LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 130А; Idm: 300А
0.0
SIR680LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR680LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 130А; Idm: 300А" 3000.

SIR688DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 100А; 83Вт
0.0
SIR688DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍228‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR688DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

SIR690DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А
0.0
SIR690DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍192‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

SIR690DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А
0.0
SIR690DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍255‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

SIR692DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А
0.0
SIR692DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍207‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR692DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

SIR696DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А
0.0
SIR696DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR696DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

SIR698DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 10А
0.0
SIR698DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍134‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR698DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 10А" 3000.

SIR800ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А
0.0
SIR800ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍197‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

SIR800ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А
0.0
SIR800ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

SIR800DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт
0.0
SIR800DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍207‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

SIR800DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт
0.0
SIR800DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍217‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

SIR804DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А
0.0
SIR804DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍267‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR804DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

SIR818DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 80А; 69Вт
0.0
SIR818DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍148‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR818DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А
0.0
SIR820DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍170‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А" 3000.

SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А
0.0
SIR826BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт
0.0
SIR826LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍161‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт" 3000.

SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А
0.0
SIR846ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍221‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А" 3000.

SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А
0.0
SIR846BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍171‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А
0.0
SIR846DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт
0.0
SIR862DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А
0.0
SIR870ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍346‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А" 3000.

SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А
0.0
SIR870BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍255‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А
0.0
SIR870DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍287‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А
0.0
SIR872ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍233‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А
0.0
SIR872DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍251‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А
0.0
SIR876ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А" 3000.

SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А
0.0
SIR876BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍124‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А" 3000.

SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт
0.0
SIR880ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍182‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А
0.0
SIR880DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора74нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍236‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR880DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт
0.0
SIR882ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍453‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR882ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 1.

SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А
0.0
SIR882BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍158‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR882BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 67,5А; Idm: 200А" 3000.

SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт
0.0
SIR882DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора58нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR882DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А
0.0
SIRA00DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,22мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍375‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA00DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А
0.0
SIRA02DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора117нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍222‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA02DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 100А" 1.

SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
0.0
SIRA04DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍252‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIRA04DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт" 1.

Показать еще 80 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)