Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом N SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB110N20N3LF
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 995 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB117N20NFDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 065 ₽
Доступность: 984 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
0.0
IPB120N06S402
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍497‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB123N10N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
‍309‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
0.0
IPB180N04S4H0
Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍494‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток120В
‍411‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB200N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
1 533 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB320N20N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
‍604‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB407N30NATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток300В
1 112 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R199CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍508‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R250CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍455‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB50R299CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток500В
‍419‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB530N15N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
‍205‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB600N25N3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток250В
‍562‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK
0.0
IPB60R060P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍803‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
0.0
IPB60R080P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍684‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R099C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 070 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍856‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2
0.0
IPB60R099CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 090 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK
0.0
IPB60R099P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍535‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK
0.0
IPB60R120P7
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC КорпусD2PAK МонтажSMD
‍467‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R160C6ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
‍776‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3
0.0
IPB60R165CPATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток600В
1 076 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
0.0
IPB60R180C7
Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍353‍ ₽
Доступность: 936 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (34)