Товары из категории транзисторы с каналом n smd - страница 92

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 419.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
410.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
307.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
306.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
299.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
151.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
339.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
344.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
735.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
647.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
186.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
258.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
1 282.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
279.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
324.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
385.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
734.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 040.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток200В
1 106.29 
Доступность: 689 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
645.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации, усиления и управления сигналами в современных электронных устройствах. Используются в компактных платах, системах автоматики, источниках питания и IoT-устройствах, где важны миниатюризация и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, STMicroelectronics, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж