Москва
 +7(499)550-50-61

Товары из категории транзисторы с каналом n tht - страница 43

Категории
Полупроводники
Транзисторы
Транзисторы униполярные
Транзисторы с каналом типа N
Транзисторы с каналом N THT
Транзисторы с каналом N SMD
Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Монтаж
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
Производитель
Сортировать по:
Новинки ниже
FQU4N50TU-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,64А; Idm: 10,4А; 45Вт; IPAK
0.0
FQU4N50TU-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC Код производителяFQU4N50TU-WS КорпусIPAK
214.29 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU4N50TU-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 1,64А; Idm: 10,4А; 45Вт; IPAK" 1.

FQU5N40TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,15А; Idm: 13,6А; 45Вт; IPAK
0.0
FQU5N40TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора13нC Код производителяFQU5N40TU КорпусIPAK
190.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU5N40TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 400В; 2,15А; Idm: 13,6А; 45Вт; IPAK" 1.

FQU5N50CTU-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; Idm: 16А; 48Вт; IPAK
0.0
FQU5N50CTU-WS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора24нC Код производителяFQU5N50CTU-WS КорпусIPAK
205.78 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU5N50CTU-WS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 2,4А; Idm: 16А; 48Вт; IPAK" 1.

FQU5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK
0.0
FQU5N60CTU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора19нC Код производителяFQU5N60CTU КорпусIPAK
193.03 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK" 1.

FQU9N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK
0.0
FQU9N25TU
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора20нC Код производителяFQU9N25TU КорпусIPAK
190.48 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FQU9N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK" 1.

G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт
0.0
G3R160MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора28нC Код производителяG3R160MT12D КорпусTO247-3
1 195.58 ₽
Доступность: 811 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 16А; Idm: 40А; 123Вт" 1.

G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт
0.0
G3R160MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора21нC Код производителяG3R160MT17D КорпусTO247-3
2 113.95 ₽
Доступность: 1 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R160MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 15А; Idm: 48А; 175Вт" 1.

G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт
0.0
G3R20MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора219нC Код производителяG3R20MT12K КорпусTO247-4
6 734.69 ₽
Доступность: 487 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 90А; Idm: 240А; 542Вт" 1.

G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт
0.0
G3R20MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора400нC Код производителяG3R20MT17K КорпусTO247-4
20 319.73 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R20MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 88А; Idm: 300А; 809Вт" 1.

G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт
0.0
G3R30MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора155нC Код производителяG3R30MT12K КорпусTO247-4
4 203.23 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R30MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 63А; Idm: 200А; 400Вт" 1.

G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт
0.0
G3R350MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора12нC Код производителяG3R350MT12D КорпусTO247-3
699.83 ₽
Доступность: 238 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R350MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 16А; 74Вт" 1.

G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12D КорпусTO247-3
3 517.01 ₽
Доступность: 94 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
0.0
G3R40MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора106нC Код производителяG3R40MT12K КорпусTO247-4
2 809.52 ₽
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт" 1.

G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт
0.0
G3R450MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора18нC Код производителяG3R450MT17D КорпусTO247-3
1 111.39 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт" 1.

G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17D КорпусTO247-3
5 627.55 ₽
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
0.0
G3R45MT17K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора182нC Код производителяG3R45MT17K КорпусTO247-4
5 604.59 ₽
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R45MT17K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт" 1.

G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12D КорпусTO247-3
2 282.31 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
0.0
G3R75MT12K
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC Код производителяG3R75MT12K КорпусTO247-4
1 518.71 ₽
Доступность: 436 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
0.0
GAN041-650WSBQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC Код производителяGAN041-650WSBQ КорпусSOT429, TO247
5 103.74 ₽
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В
0.0
GAN063-650WSAQ
Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC Код производителяGAN063-650WSAQ КорпусSOT429, TO247
3 466.84 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом N, выводные (THT — Through-Hole Technology) — это полупроводниковые приборы с длинными выводами, предназначенные для ручной или волновой пайки в отверстия печатной платы. Широко используются в промышленной автоматике, системах управления, источниках питания, учебных проектах и ремонте оборудования.

Отличаются высокой механической прочностью соединения и удобством обслуживания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом N THT от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж