Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А
0.0
SI3493DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍41‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт
0.0
SI3499DV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
‍165‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8
0.0
SI4401BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍253‍ ₽
Доступность: 11 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8
0.0
SI4401BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍334‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8
0.0
SI4401DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍183‍ ₽
Доступность: 302 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А
0.0
SI4401FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍165‍ ₽
Доступность: 2134 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А
0.0
SI4403CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍127‍ ₽
Доступность: 2097 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4403DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍83‍ ₽
Доступность: 1706 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8
0.0
SI4425DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍125‍ ₽
Доступность: 3048 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А
0.0
SI4425FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍145‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А" 1.

SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8
0.0
SI4431BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍211‍ ₽
Доступность: 691 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8" 1.

SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8
0.0
SI4431CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍151‍ ₽
Доступность: 2431 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8
0.0
SI4435DDY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍86‍ ₽
Доступность: 2155 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8" 1.

SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8
0.0
SI4435DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍152‍ ₽
Доступность: 2339 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8" 1.

SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8
0.0
SI4435DY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍233‍ ₽
Доступность: 1782 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8
0.0
SI4435DYTRPBF
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
‍160‍ ₽
Доступность: 2438 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8" 1.

SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А
0.0
SI4435FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Доступность: 2446 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А
0.0
SI4447ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍129‍ ₽
Доступность: 664 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А
0.0
SI4447DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8
0.0
SI4455DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
‍294‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)