Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.47

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI3493DDV-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
37.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI3499DV-T1-BE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
150.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

0.0
SI4401BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
231.01 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401BDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
305.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
166.67 
Доступность: 2092 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SI4401FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
150.39 
Доступность: 1964 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

0.0
SI4403CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
116.28 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI4403DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSO8 МонтажSMD
75.97 
Доступность: 1705 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4425DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
113.95 
Доступность: 1389 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4425FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусSO8 МонтажSMD
132.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18,3А; Idm: -70А" 1.

0.0
SI4431BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
192.25 
Доступность: 296 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8" 1.

0.0
SI4431CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
137.98 
Доступность: 1827 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
78.29 
Доступность: 1090 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
138.76 
Доступность: 767 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
213.18 
Доступность: 1573 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DYTRPBF
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
145.74 
Доступность: 2438 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD
75.19 
Доступность: 1421 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI4447ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
117.83 
Доступность: 339 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI4447DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

0.0
SI4455DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
268.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж