Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 69

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусTSOP6 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3993CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,6А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора203нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4101DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,7А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4103DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4143DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,3А; Idm: -70А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4151DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,5А; Idm: -150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4153DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -19,3А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
227.83 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,3А; 2,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусSO8 МонтажSMD
301.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -8,7А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусSO8 МонтажSMD
164.37 
Доступность: 1257 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16,1А; Idm: -50А; 4Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC КорпусSO8 МонтажSMD
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4401FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -11А; Idm: -80А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
114.68 
Доступность: 2097 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,4А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSO8 МонтажSMD
74.92 
Доступность: 1706 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4403DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -12,3А; 3,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4421DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора175нC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4423DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -14А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; Idm: -50А; 0,9Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусSO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4425BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,4А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусSO8 МонтажSMD
112.39 
Доступность: 195 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4425DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,7А; 3,6Вт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж