Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 71

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4463BDY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSI4463BDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,7А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC Код производителяSI4463CDY-T1-GE3 КорпусSO8
252.55 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4465ADY-T1-E3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC Код производителяSI4465ADY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC Код производителяSI4477DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4477DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44,8нC Код производителяSI4483ADY-T1-GE3 КорпусSO8
211.73 
Доступность: 1454 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSI4485DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4485DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -25А; 5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC Код производителяSI4491EDY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4491EDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,8А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSI4497DY-T1-GE3 КорпусSO8
458.33 
Доступность: 1362 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC Код производителяSI4825DDY-T1-GE3 КорпусSO8
259.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI4835DDY-T1-E3 КорпусSO8
233.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI4835DDY-T1-GE3 КорпусSO8
134.35 
Доступность: 73 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSI4909DY-T1-GE3 КорпусSO8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4909DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI4948BEY-T1-GE3 КорпусSO8
266.16 
Доступность: 251 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI5403DC-T1-GE3 КорпусChipFET
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSI5419DU-T1-GE3 МонтажSMD
118.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC Код производителяSI5429DU-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5429DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI5441BDC-T1-E3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSI5441BDC-T1-GE3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж