Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 68

Фильтры товаров
Тип транзистора
Рассеиваемая мощность
Напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
Вид канала
Заряд затвора
Напряжение затвор-исток
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC Код производителяSI3443DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
66.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3443DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC Код производителяSI3453DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3453DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -3,4А; Idm: -6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC Код производителяSI3457CDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -5,1А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC Код производителяSI3457CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
159.01 
Доступность: 939 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3457CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI3459BDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC Код производителяSI3459BDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
155.61 
Доступность: 148 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3459BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -2,9А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI3469DV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSI3469DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3469DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,7А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI3473CDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSI3473CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
188.78 
Доступность: 2939 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3473CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора57нC Код производителяSI3473DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3473DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSI3477DV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3477DV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC Код производителяSI3483CDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,5нC Код производителяSI3483CDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
198.13 
Доступность: 804 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSI3483DDV-T1-BE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC Код производителяSI3483DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3483DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -8А; Idm: -30А; 3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC Код производителяSI3493BDV-T1-E3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,5нC Код производителяSI3493BDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493BDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52,2нC Код производителяSI3493DDV-T1-GE3 КорпусTSOP6
48.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3493DDV-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSI3499DV-T1-BE3 КорпусTSOP6
181.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI3499DV-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -7А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж