Товары из категории транзисторы с каналом p smd - страница 73

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
194.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7119DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
123.85 
Доступность: 1864 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7121ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А; 17,8Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7121DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -16А; Idm: -50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7129DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора250нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7135DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора585нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7137DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора146нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7139DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; Idm: -70А; 30Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора400нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7141DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7143DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора413нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7145DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43,1нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
130.73 
Доступность: 2818 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7149ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; 31Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора147нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7149DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -70А; 44,4Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
136.09 
Доступность: 39 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7153DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -18А; Idm: -100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора330нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
269.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7155DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -100А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора625нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7157DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -60А; Idm: -300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7309DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7309DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -8А; Idm: -20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7315DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -10А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,8нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
159.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7317DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -2А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7415DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,7А; Idm: -30А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж