Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI7421DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI7421DN-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7421DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А" 1.

SI7421DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI7421DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7421DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -9,8А; Idm: -30А" 1.

SI7423DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI7423DN-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7423DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А" 1.

SI7423DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI7423DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7423DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -11,7А; Idm: -30А" 1.

SI7431DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -3,8А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI7431DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7431DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -200В; -3,8А; Idm: -30А" 1.

SI7431DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,2А; Idm: -30А; 1,2Вт

0.0

КОД:

SI7431DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7431DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,2А; Idm: -30А; 1,2Вт" 1.

SI7439DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -3А; Idm: -50А; 1,2Вт

0.0

КОД:

SI7439DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7439DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -3А; Idm: -50А; 1,2Вт" 1.

SI7439DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -5,2А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI7439DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7439DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -5,2А; Idm: -50А" 1.

SI7461DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI7461DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

415⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; -11,5А; Idm: -60А" 1.

SI7461DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт

0.0

КОД:

SI7461DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

405³⁰ ^₽

Доступность: 5808 шт.

Минимальное количество для товара "SI7461DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -8,6А; Idm: -60А; 1,2Вт" 1.

SI7463ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -46А; Idm: -70А; 25Вт

0.0

КОД:

SI7463ADP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора144нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7463ADP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -46А; Idm: -70А; 25Вт" 1.

SI7463DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -11А; Idm: -60А; 1,2Вт

0.0

КОД:

SI7463DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7463DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -11А; Idm: -60А; 1,2Вт" 1.

SI7463DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -18,6А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI7463DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7463DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

SI7465DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А

0.0

КОД:

SI7465DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

232⁹⁵ ^₽

Доступность: 2368 шт.

Минимальное количество для товара "SI7465DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5А; Idm: -25А" 1.

SI7465DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт

0.0

КОД:

SI7465DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7465DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -25А; 0,94Вт" 1.

SI7469ADP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -46А; Idm: -125А

0.0

КОД:

SI7469ADP-T1-RE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7469ADP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -46А; Idm: -125А" 1.

SI7469DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI7469DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

437⁵⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А" 1.

SI7469DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А; 53Вт

0.0

КОД:

SI7469DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

610⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7469DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

SI7489DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI7489DP-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А" 1.

SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт

0.0

КОД:

SI7489DP-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD

479¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7489DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -28А; Idm: -40А; 53Вт" 1.

SI7611DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт

0.0

КОД:

SI7611DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7611DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI7613DN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7613DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -35А; Idm: -60А" 1.

SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт

0.0

КОД:

SI7615ADN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора183нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

154³⁶ ^₽

Доступность: 3184 шт.

Минимальное количество для товара "SI7615ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт

0.0

КОД:

SI7615CDN-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD

156²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI7615CDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; 21,1Вт" 1.