Москва
 
+7 (993) 080-09-37
 

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
SI4909DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8
0.0
SI4909DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусSO8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI4909DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8" 1.

SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8
0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
26326 ₽
Доступность: 2634 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET
0.0
SI5403DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусChipFET МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5403DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -20А; 3,3Вт; ChipFET" 1.

SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А
0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
11458 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

SI5429DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А
0.0
SI5429DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5429DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -50А" 1.

SI5441BDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А
0.0
SI5441BDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А
0.0
SI5441BDC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6,1А; Idm: -20А" 1.

SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
15436 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

SI5459DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -20А
0.0
SI5459DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5459DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -20А" 1.

SI5471DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -25А
0.0
SI5471DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора96нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5471DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -25А" 1.

SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт
0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
3409 ₽
Доступность: 725 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт
0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
3598 ₽
Доступность: 1682 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А
0.0
SI5935CDC-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI5935CDC-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А" 1.

SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А
0.0
SI6415DQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А
0.0
SI6415DQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6415DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6,5А; Idm: -30А" 1.

SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А
0.0
SI6423DQ-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9,5А; Idm: -30А" 1.

SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А
0.0
SI6423DQ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусTSSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI6423DQ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8,2А; Idm: -30А" 1.

SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
20833 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

SI7111EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А
0.0
SI7111EDN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7111EDN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -150А" 1.

SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт
0.0
SI7113ADN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113ADN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -10,8А; Idm: -20А; 17,8Вт" 1.

SI7113DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -13,2А; Idm: -20А
0.0
SI7113DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -13,2А; Idm: -20А" 1.

SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт
0.0
SI7113DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
29261 ₽
Доступность: 2563 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7113DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт" 1.

SI7115DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А
0.0
SI7115DN-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А" 1.

SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт
0.0
SI7115DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
37595 ₽
Доступность: 2973 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI7115DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -8,9А; Idm: -15А; 33Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)