Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А

0.0

КОД:

SI4435FDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD

112⁶⁹ ^₽

Доступность: 2528 шт.

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI4447ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD

101³³ ^₽

Доступность: 2183 шт.

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

SI4447DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI4447DY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А

0.0

КОД:

SI4447DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD

156²⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

SI4451DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI4451DY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4451DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А" 1.

SI4451DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI4451DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4451DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -14А; Idm: -40А" 1.

SI4455DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -15А

0.0

КОД:

SI4455DY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -2,8А; Idm: -15А" 1.

SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4455DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD

242⁴² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4459ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусSO8 МонтажSMD

294⁵¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8" 1.

SI4459BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -27,8А; Idm: -150А

0.0

КОД:

SI4459BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4459BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -27,8А; Idm: -150А" 1.

SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4463BDY-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD

186⁵⁵ ^₽

Доступность: 760 шт.

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8" 1.

SI4463BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4463BDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8" 1.

SI4463BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,7А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SI4463BDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -13,7А; Idm: -50А" 1.

SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI4463CDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC КорпусSO8 МонтажSMD

166⁶⁷ ^₽

Доступность: 2194 шт.

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

SI4465ADY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI4465ADY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

SI4465ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SI4465ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4465ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -13,7А; Idm: -40А" 1.

SI4477DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4477DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4477DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -26,6А; Idm: -60А; 4,2Вт; SO8" 1.

SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4483ADY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44,8нC КорпусSO8 МонтажSMD

254⁷³ ^₽

Доступность: 1769 шт.

Минимальное количество для товара "SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8" 1.

SI4485DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -25А; 5Вт

0.0

КОД:

SI4485DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4485DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -6А; Idm: -25А; 5Вт" 1.

SI4491EDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,8А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI4491EDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора153нC КорпусSO8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4491EDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -25,8А; Idm: -60А" 1.

SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4497DY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD

328⁶⁰ ^₽

Доступность: 170 шт.

Минимальное количество для товара "SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8" 1.

SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SI4825DDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусSO8 МонтажSMD

207³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4835DDY-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD

212¹² ^₽

Доступность: 2949 шт.

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8

0.0

КОД:

SI4835DDY-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD

170⁴⁵ ^₽

Доступность: 584 шт.

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 1.