Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SI1469DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI1469DH-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

SI1499DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А

0.0

КОД:

SI1499DH-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

SI1499DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А

0.0

КОД:

SI1499DH-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2301A-TP

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD

83³³ ^₽

Доступность: 1267 шт.

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

SI2301BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,4А; Idm: -10А

0.0

КОД:

SI2301BDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,4А; Idm: -10А" 1.

SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2301BDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD

85²³ ^₽

Доступность: 83 шт.

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

SI2301CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -10А

0.0

КОД:

SI2301CDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -10А" 1.

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2301CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD

58⁷¹ ^₽

Доступность: 10398 шт.

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2303CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А

0.0

КОД:

SI2303CDS-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

SI2303CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А

0.0

КОД:

SI2303CDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2303CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD

127⁸⁴ ^₽

Доступность: 1764 шт.

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2305B-TP

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD

31²⁵ ^₽

Доступность: 5876 шт.

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI2305CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD

74⁸¹ ^₽

Доступность: 2261 шт.

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт

0.0

КОД:

SI2307-TP

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD

60⁶¹ ^₽

Доступность: 1714 шт.

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2307BDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD

79⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2307CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSOT23 МонтажSMD

143⁹⁴ ^₽

Доступность: 5226 шт.

Минимальное количество для товара "SI2307CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23" 1.

SI2309CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А

0.0

КОД:

SI2309CDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А" 1.

SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2309CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,7нC КорпусSOT23 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Доступность: 4188 шт.

Минимальное количество для товара "SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,3А; 1,1Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2315BDS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD

93⁷⁵ ^₽

Доступность: 64 шт.

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; 1,19Вт; SOT23" 1.

SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2315BDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD

116⁴⁸ ^₽

Доступность: 2572 шт.

Минимальное количество для товара "SI2315BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SI2319CDS-T1-BE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSOT23 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,4А; Idm: -20А" 1.

SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23

0.0

КОД:

SI2319CDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD

125⁰⁰ ^₽

Доступность: 5074 шт.

Минимальное количество для товара "SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А

0.0

КОД:

SI2319DDS-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD

83³³ ^₽

Доступность: 633 шт.

Минимальное количество для товара "SI2319DDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -3,6А; Idm: -15А" 1.

SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

0.0

КОД:

SI2319DS-T1-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSOT23 МонтажSMD

193¹⁸ ^₽

Доступность: 2747 шт.

Минимальное количество для товара "SI2319DS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А" 1.