Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA447DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

74⁸¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA447DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А; 12Вт" 1.

SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA449DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

64³⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA449DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -30А; 12Вт" 1.

SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт

0.0

КОД:

SIA459EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA459EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9А; Idm: -40А; 10Вт" 1.

SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SIA461DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

149⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA461DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -12А; Idm: -20А" 1.

SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIA469DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

53⁰³ ^₽

Доступность: 2707 шт.

Минимальное количество для товара "SIA469DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А

0.0

КОД:

SIA471DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27,8нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В

128⁷⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA471DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -30,3А; Idm: -70А" 1.

SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA477EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

46⁴⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA477EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 1.

SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А

0.0

КОД:

SIA477EDJT-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

42⁶¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA477EDJT-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -12А; Idm: -50А" 1.

SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А

0.0

КОД:

SIA483ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В

33¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA483ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -60А" 1.

SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт

0.0

КОД:

SIA483DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

59⁶⁶ ^₽

Доступность: 2835 шт.

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А

0.0

КОД:

SIA485DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

52⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 1.

SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А

0.0

КОД:

SIA811ADJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

55⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 1.

SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А

0.0

КОД:

SIA817EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В

38⁸³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 1.

SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт

0.0

КОД:

SIA921EDJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

114⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт

0.0

КОД:

SIA929DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

114⁵⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт

0.0

КОД:

SIA931DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA931DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт" 1.

SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт

0.0

КОД:

SIA975DJ-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD

107⁹⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт

0.0

КОД:

SIB417EDK-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В

51¹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 1.

SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А

0.0

КОД:

SIB433EDK-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

47³⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 1.

SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А

0.0

КОД:

SIB441EDK-T1-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В

37⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 1.

SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD

0.0

КОД:

SIB457EDK-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SC75

100³⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт

0.0

КОД:

SIHF9520S-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

149⁶² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт" 1.

SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

0.0

КОД:

SIHF9530S-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

153⁴¹ ^₽

Доступность: 946 шт.

Минимальное количество для товара "SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт" 1.

SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

0.0

КОД:

SIHF9640S-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

180⁸⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт" 1.