Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 188

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB010N06NATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 638.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB010N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB011N04LGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
207.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1000.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB011N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB011N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB014N06NATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
779.76 
Доступность: 27 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB014N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора260нC Код производителяIPB015N04LGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
626.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB015N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
985.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB015N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB015N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
770.41 
Доступность: 997 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB015N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB016N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB016N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
801.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB017N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
929.42 
Доступность: 787 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB017N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 097.79 
Доступность: 960 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB017N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
461.73 
Доступность: 622 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB019N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB019N08N3G КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB019N08N3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N04NGATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N04NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; 167Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB020N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB020N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB024N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
609.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB024N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
710.88 
Доступность: 652 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB025N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 124.15 
Доступность: 865 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB025N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 180А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB026N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
494.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB026N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж