Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 189

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
784.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB027N10N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB027N10N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB029N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
414.97 
Доступность: 970 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB029N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB030N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
738.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB030N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
667.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB031NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
486.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB031NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB033N10N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB033N10N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 108А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB034N06L3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB034N06L3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB035N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB035N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB036N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 105.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB036N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB037N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.37 
Доступность: 992 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB037N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 188Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB038N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
767.01 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB038N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB039N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
433.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB039N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB042N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
398.81 
Доступность: 982 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB042N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB044N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB044N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 123А; Idm: 696А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5ATMA1 КорпусPG-TO 263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 118А; Idm: 480А; 300Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB048N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 612.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB048N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 115А; 313Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049N08N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
465.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049N08N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 320А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB049NE7N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
349.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB049NE7N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 115Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж