Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 190

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Код производителяIPB054N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
340.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB054N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB055N03LGATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
171.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB055N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB057N06NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
386.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB057N06NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 45А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB065N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB065N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 130А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB067N08N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
391.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB067N08N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB072N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
835.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB072N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора49нC Код производителяIPB073N15N5ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
735.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB073N15N5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB081N06L3G КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
211.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB081N06L3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
293.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB083N15N5LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 457.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB083N15N5LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 66А; 179Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB090N06N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
318.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB090N06N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC Код производителяIPB100N04S303ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
368.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N04S303ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T; полевой; 40В; 100А; 214Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора130нC Код производителяIPB100N06S205ATMA4 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
437.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S205ATMA4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора170нC Код производителяIPB100N06S2L05ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
834.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N06S2L05ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB100N10S305ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB100N10S305ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB107N20N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 181.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB107N20NAATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 256.80 
Доступность: 644 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB107N20NAATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB108N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
732.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB108N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 83А; 214Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB110N20N3LF КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2 227.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB110N20N3LF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 61А; 250Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB117N20NFDATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 103.74 
Доступность: 253 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB117N20NFDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 84А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж