Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 191

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора150нC Код производителяIPB120N06S402ATMA2 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD
555.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB120N06S402ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB123N10N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
346.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB123N10N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB144N12N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB144N12N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 56А; 107Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB160N04S4LH1ATMA1 КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB160N04S4LH1ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 160А; Idm: 640А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора173нC Код производителяIPB180N04S4H0ATMA1 КорпусPG-TO263-7 МонтажSMD
542.52 
Доступность: 910 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB180N04S4H0ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB180N06S4H1ATMA2 КорпусPG-TO263-7-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB180N06S4H1ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 180А; Idm: 720А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB200N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
458.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB200N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 187.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB200N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB320N20N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
648.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB320N20N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 34А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB407N30NATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 242.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB407N30NATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 44А; 300Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R140CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
277.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R140CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 3,1А; 25Вт; PG-TO263-3" 1000.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
664.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
508.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 13А; 114Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB50R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
469.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB50R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB530N15N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
230.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB530N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB600N25N3GATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
636.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB600N25N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора67нC Код производителяIPB60R060P7ATMA1 КорпусD2PAK
880.95 
Доступность: 998 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R060P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 164Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора51нC Код производителяIPB60R080P7ATMA1 КорпусD2PAK
873.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R080P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 139.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж