Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 192

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Заряд затвора42нC Код производителяIPB60R099C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
924.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 14А; 110Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R099CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1 307.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 31А; 255Вт; PG-TO263-3-2" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора45нC Код производителяIPB60R099P7ATMA1 КорпусD2PAK
772.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R099P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; 117Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора36нC Код производителяIPB60R120P7ATMA1 КорпусD2PAK
559.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R120P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 95Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R125C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R125C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R160C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
868.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R160C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R165CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
784.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R165CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; 192Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора24нC Код производителяIPB60R180C7ATMA1 КорпусD2PAK МонтажSMD
368.20 
Доступность: 928 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора25нC Код производителяIPB60R180P7ATMA1 КорпусD2PAK
386.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R180P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 72Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R190C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R190C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20,2А; 151Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R199CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
651.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R199CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 16А; 139Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R250CPATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R250CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO263-3-2" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R280C6ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
424.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280C6ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13,8А; 104Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора18нC Код производителяIPB60R280P7ATMA1 КорпусD2PAK
414.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R280P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 53Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R299CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
550.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R299CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 96Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора13нC Код производителяIPB60R360P7ATMA1 КорпусD2PAK
269.56 
Доступность: 870 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPB60R360P7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 41Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB60R385CPATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
437.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB60R385CPATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 9А; 83Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB64N25S320ATMA1 КорпусPG-TO263-3-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB64N25S320ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 250В; 46А; Idm: 256А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R045C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
4 056.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R045C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 46А; 227Вт; PG-TO263-3" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяIPB65R065C7ATMA1 КорпусPG-TO263-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2 458.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPB65R065C7ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; 171Вт; PG-TO263-3" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж