Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 366

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
44.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 100мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC89 МонтажSMD
30.58 
Доступность: 3274 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1C002UNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
47.40 
Доступность: 458 шт.
 

Минимальное количество для товара "RE1J002YNTCL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT416F МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
41.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; SOT416F" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,5нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
103.98 
Доступность: 2954 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080BNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
100.92 
Доступность: 2990 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E080GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8А; Idm: 32А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
94.04 
Доступность: 2780 шт.
 

Минимальное количество для товара "RF4E100AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,4нC КорпусDFN2020-8S МонтажSMD
64.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF4E110GNTR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 44А; 2Вт; DFN2020-8S" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,1нC КорпусSOT363T МонтажSMD
89.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RF6E045AJTCR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,5А; Idm: 18А; 1Вт; SOT363T" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусDPAK МонтажSMD
172.78 
Доступность: 1438 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD12N06RLESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
138.38 
Доступность: 112 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
137.61 
Доступность: 1572 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусDPAK МонтажSMD
77.98 
Доступность: 5033 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD14N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK МонтажSMD
184.25 
Доступность: 2138 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05LSM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 60Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RFD16N05SM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 16А; 72Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора62нC КорпусDPAK МонтажSMD
237.00 
Доступность: 134 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD16N06LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 16А; 90Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
93.27 
Доступность: 1953 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFD3055LESM9A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 11А; 38Вт; DPAK" 1.

Вид каналаобедненный Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента Выходная мощность4,3Вт КорпусPW-Mini
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RFM04U6P(TE12L,F), Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 16В; 2А; 7Вт; PW-Mini; Pвых: 4,3Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO220AB МонтажTHT Напряжение затвор-исток±10В
174.31 
Доступность: 106 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 12А; 60Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC КорпусTO220AB МонтажTHT
301.22 
Доступность: 62 шт.
 

Минимальное количество для товара "RFP50N06, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 131Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж