Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 417

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора182нC Код производителяSIJ438DP-T1-GE3 МонтажSMD
268.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 80А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIJ462ADP-T1-GE3 МонтажSMD
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 39,3А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSIJ462DP-T1-GE3 МонтажSMD
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 46,5А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSIJ470DP-T1-GE3 МонтажSMD
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSIJ478DP-T1-GE3 МонтажSMD
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIJ482DP-T1-GE3 МонтажSMD
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC Код производителяSIJ494DP-T1-GE3 МонтажSMD
213.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC Код производителяSIJA52ADP-T1-GE3 МонтажSMD
140.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC Код производителяSIJA52DP-T1-GE3 МонтажSMD
204.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC Код производителяSIJA54DP-T1-GE3 МонтажSMD
157.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSIJA58ADP-T1-GE3 МонтажSMD
99.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSIJA58DP-T1-GE3 МонтажSMD
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSIJA72ADP-T1-GE3 МонтажSMD
108.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA72ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 96А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC Код производителяSIJH112E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
593.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH112E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 225А; Idm: 300А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC Код производителяSIJH5100E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
790.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5100E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 277А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIJH5800E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
914.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 302А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC Код производителяSIJH600E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
924.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH600E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 373А; Idm: 500А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,21мкC Код производителяSIJH800E-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 8x8L
629.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIR104ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
258.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC Код производителяSIR104DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
312.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж