Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 418

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC Код производителяSIR104LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
196.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIR106ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
196.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC Код производителяSIR106DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
226.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41,5нC Код производителяSIR108DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR108DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 45А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC Код производителяSIR112DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR112DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 133А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC Код производителяSIR120DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
209.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR120DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 106А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIR122DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 59,6А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC Код производителяSIR122LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 62,3А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSIR124DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
151.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR124DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 56,8А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC Код производителяSIR140DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
277.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIR150DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
97.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR150DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSIR158DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
247.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC Код производителяSIR158DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
299.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора123нC Код производителяSIR164DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
178.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSIR166DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR166DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC Код производителяSIR170DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
240.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC Код производителяSIR172ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
51.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR172ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC Код производителяSIR178DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
209.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR178DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 430А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC Код производителяSIR180ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
234.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 137А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC Код производителяSIR180DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
226.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR180DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж