Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 420

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC Код производителяSIR4606DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
320.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC Код производителяSIR4608DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
117.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSIR460DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
143.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIR462DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
101.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC Код производителяSIR464DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
174.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC Код производителяSIR466DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
126.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC Код производителяSIR470DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
627.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSIR474DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
98.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC Код производителяSIR500DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
190.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSIR5102DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
354.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC Код производителяSIR510DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
260.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSIR516DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
212.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC Код производителяSIR5708DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
170.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC Код производителяSIR570DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
287.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC Код производителяSIR572DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
234.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC Код производителяSIR574DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIR576DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
148.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC Код производителяSIR578DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
260.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR578DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 70,2А; Idm: 200А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC Код производителяSIR5802DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
221.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5802DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 137,5А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC Код производителяSIR580DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
468.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR580DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 146А; Idm: 300А" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж