Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 421

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора67нC Код производителяSIR582DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
189.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR582DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 116А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC Код производителяSIR584DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
179.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR584DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 250А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIR606BDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
166.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 38,7А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,5нC Код производителяSIR606DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
148.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 37А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора167нC Код производителяSIR608DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
202.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR608DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 208А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC Код производителяSIR610DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
260.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR610DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 35,4А; Idm: 80А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC Код производителяSIR616DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
172.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR616DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 20,2А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,5нC Код производителяSIR618DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR618DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 14,2А; Idm: 30А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIR622DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
193.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSIR622DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
365.42 
Доступность: 4950 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR622DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 51,6А; Idm: 100А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIR624DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
130.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSIR624DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
131.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR624DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 18,6А; Idm: 50А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSIR626ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
262.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR626ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 165А; Idm: 300А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC Код производителяSIR626DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
455.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR626DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 34,2А; 4Вт; PowerPAK® SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC Код производителяSIR626LDP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
348.38 
Доступность: 1351 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIR626LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 186А; Idm: 400А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSIR632DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
293.87 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR632DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 29А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора165нC Код производителяSIR638ADP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
218.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIR638DP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
256.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC Код производителяSIR638DP-T1-RE3 КорпусPowerPAK® SO8
217.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC Код производителяSIR640ADP-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
207.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR640ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 350А" 3000.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж