Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 431

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28,5нC Код производителяSISS588DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
337.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS588DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 46,5А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC Код производителяSISS60DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
365.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC Код производителяSISS64DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
247.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора85,5нC Код производителяSISS66DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
365.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,3нC Код производителяSISS70DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
340.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS70DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 125В; 24,8А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC Код производителяSISS72DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
282.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS72DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 150В; 20,4А; Idm: 50А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33,5нC Код производителяSISS76LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
254.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS76LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 54А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC Код производителяSISS78LDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
333.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS78LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 70В; 53,3А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC Код производителяSISS80DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
418.23 
Доступность: 5785 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC Код производителяSISS92DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
288.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS92DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 250В; 9,9А; Idm: 20А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSISS94DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
253.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS94DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 15,6А; Idm: 25А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18,2нC Код производителяSISS98DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
290.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC Код производителяSIUD402ED-T1-GE3 МонтажSMD
68.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD402ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 1А; Idm: 1,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,6нC Код производителяSIUD406ED-T1-GE3 МонтажSMD
26.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD406ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 500мА; Idm: 0,8А" 3000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,71нC Код производителяSIUD412ED-T1-GE3 МонтажSMD
46.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIUD412ED-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 12В; 500мА; Idm: 1,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBF4393LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
148.21 
Доступность: 2906 шт.
 

Минимальное количество для товара "SMMBF4393LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ309LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
83.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ309LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ310LT1G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
76.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

Вид каналаобогащенный Код производителяSMMBFJ310LT3G МонтажSMD Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
22.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SMMBFJ310LT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 10000.

Вид каналаобогащенный Код производителяSN7002NH6327XTSA2 КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
46.00 
Доступность: 15115 шт.
 

Минимальное количество для товара "SN7002NH6327XTSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж