Товары из категории транзисторы с каналом типа n - страница 429

Фильтры товаров
Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC Код производителяSISH110DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
296.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH110DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 16,9А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC Код производителяSISH112DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
363.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH112DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 14,2А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC Код производителяSISH114ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
83.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH114ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 60А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC Код производителяSISH116DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
434.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH116DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 13,1А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора42нC Код производителяSISH402DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
198.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH402DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 35А; Idm: 70А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC Код производителяSISH410DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
287.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC Код производителяSISH434DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
305.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH434DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC Код производителяSISH472DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
149.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC Код производителяSISH536DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
159.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH536DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 54А; Idm: 200А; 17Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26,5нC Код производителяSISH892BDN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® SO8
212.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSISHA04DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
184.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 80А; 43Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC Код производителяSISHA10DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
241.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 80А; 25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC Код производителяSISHA12ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
209.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC Код производителяSISHA14DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
180.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISHA14DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 80А; 17Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC Код производителяSISS02DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
352.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS02DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC Код производителяSISS04DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
365.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS04DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC Код производителяSISS06DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS06DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 138,1А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора82нC Код производителяSISS08DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
299.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS08DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 156,4А; Idm: 300А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC Код производителяSISS10ADN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
265.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 86,8А; Idm: 150А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC Код производителяSISS10DN-T1-GE3 КорпусPowerPAK® 1212-8
275.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SISS10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Хиты продаж