Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 42

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
106.53 
Доступность: 3213 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
175.54 
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
62.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
43.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX2301P,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
35.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,23А; 420мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
54.76 
Доступность: 2966 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKS,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 80мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT666 МонтажSMD
54.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKV,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,22А; 330мВт; SOT666" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
25.51 
Доступность: 19106 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 260мВт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
57.76 
Доступность: 2172 шт.
 

Минимальное количество для товара "NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
70.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
47.26 
Доступность: 1783 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3401A_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -14,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
45.76 
Доступность: 2208 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3403_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
67.52 
Доступность: 2864 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3405-AU_R1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -14,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусSOT23 МонтажSMD
70.52 
Доступность: 2364 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3407_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.51 
Доступность: 2379 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3409_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -11,6А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
42.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJA3411-AU_R1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
47.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJA3411_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусSOT23 МонтажSMD
55.51 
Доступность: 2358 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3413_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
53.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJA3415A-AU_R1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяPJA3415AE_R1_00501
78.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJA3415AE_R1_00501, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж