Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 44

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD60P04E-AU_L2_006A1
270.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD60P04E-AU_L2_006A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD70P03E-AU_L2_006A1
259.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD70P03E-AU_L2_006A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD75P04E-AU_L2_006A1
199.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD75P04E-AU_L2_006A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252AA МонтажSMD Обозначение производителяPJD90P03E-AU_L2_006A1
171.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJD90P03E-AU_L2_006A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252AA" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT523 МонтажSMD
42.01 
Доступность: 3975 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJE8403_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -600мА; Idm: -2,4А; 300мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
70.52 
Доступность: 2478 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJL9407_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
165.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4401P-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -200А; 60Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
102.03 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4403P_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -140А; 30Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4433EP-AU_R2_002A1
166.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4433EP-AU_R2_002A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4433EP_R2_00201
117.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4433EP_R2_00201, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4435EP_R2_00201
84.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4435EP_R2_00201, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4437EP_R2_00201
74.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4437EP_R2_00201, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ4439EP_R2_00201
66.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4439EP_R2_00201, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ4465AP-AU_R2_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; Idm: -60А; 20Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусDFN5060-8 МонтажSMD Обозначение производителяPJQ5439E-AU_R2_006A1
175.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJQ5439E-AU_R2_006A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; DFN5060-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,8нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
58.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6403_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора16,5нC КорпусSOT23-6 МонтажSMD
89.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6421-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
67.52 
Доступность: 2929 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJS6421_S1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
63.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJS6461-AU_S1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
125.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PJW3P10A_R2_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2,6А; Idm: -10,4А; 3,1Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж