Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.46

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SI4431BDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
196.05 
Доступность: 673 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8" 1.

0.0
SI4431CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
140.71 
Доступность: 2424 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4431CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; Idm: -30А; 2,7Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 1117 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусSO8 МонтажSMD
141.50 
Доступность: 2135 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -9,1А; Idm: -50А; 3,2Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DY
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусSO8 МонтажSMD
217.39 
Доступность: 1682 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4435DY, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -8,8А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435DYTRPBF
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-30В
148.62 
Доступность: 2438 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4435DYTRPBF, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4435FDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSO8 МонтажSMD
76.68 
Доступность: 2390 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4435FDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А" 1.

0.0
SI4447ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусSO8 МонтажSMD
120.16 
Доступность: 339 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -7,2А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI4447DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSO8 МонтажSMD
136.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI4447DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -4,5А; Idm: -30А" 1.

0.0
SI4455DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23,2нC КорпусSO8 МонтажSMD
273.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI4455DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -2,3А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4459ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусSO8 МонтажSMD
365.22 
Доступность: 48 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4459ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -23,5А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463BDY-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусSO8 МонтажSMD
161.26 
Доступность: 760 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4463BDY-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -11,1А; 3Вт; SO8" 1.

0.0
SI4463CDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора162нC КорпусSO8 МонтажSMD
182.61 
Доступность: 73 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -18,6А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4483ADY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44,8нC КорпусSO8 МонтажSMD
178.66 
Доступность: 1682 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4483ADY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -15,4А; 3,8Вт; SO8" 1.

0.0
SI4497DY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусSO8 МонтажSMD
341.50 
Доступность: 2498 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4497DY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -29А; 5Вт; SO8" 1.

0.0
SI4825DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора86нC КорпусSO8 МонтажSMD
185.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI4825DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -14,9А; Idm: -60А" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
236.36 
Доступность: 2543 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,7А; 5,6Вт; SO8" 1.

0.0
SI4835DDY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусSO8 МонтажSMD
114.62 
Доступность: 584 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4835DDY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; Idm: -50А; 3,6Вт; SO8" 5.

0.0
SI4948BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSO8 МонтажSMD
215.02 
Доступность: 2214 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI4948BEY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,4А; Idm: -25А; 0,95Вт; SO8" 1.

0.0
SI5419DU-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
64.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI5419DU-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А" 1.

0.0
SI5457DC-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
77.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI5457DC-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А" 1.

0.0
SI5618-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,5нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.15 
Доступность: 627 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI5618-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,2А; Idm: -7,6А; 830мВт" 1.

0.0
SI5618A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.73 
Доступность: 1677 шт.
+

Минимальное количество для товара "SI5618A-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -1,6А; Idm: -8А; 1,2Вт" 1.

0.0
SI7101DN-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора102нC КорпусPowerPAK® 1212-8 МонтажSMD
233.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SI7101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж