Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом типа P

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD
0.0
SI1013R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
‍68‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1013R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,275А; 0,08Вт; SC75A; ESD" 3.

SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1021R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC75A
‍101‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1021R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт
0.0
SI1025X-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSC89, SOT563
‍103‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1025X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; Idm: -0,65А; 0,13Вт" 1.

SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт
0.0
SI1031R-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSC75A
‍97‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1031R-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,14А; Idm: -0,5А; 0,13Вт" 5.

SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А
0.0
SI1077X-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31,1нC КорпусSC89 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1077X-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -1,75А; Idm: -8А" 1.

SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70
0.0
SI1317DL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSC70 МонтажSMD
‍96‍ ₽
Доступность: 1836 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1317DL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -6А; 0,3Вт; SC70" 1.

SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1401EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусSC70
‍95‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1401EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -25А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6
0.0
SI1403CDL-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1403CDL-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,6Вт; SC70-6" 3.

SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6
0.0
SI1411DH-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусSC70-6 МонтажSMD
‍96‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1411DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,38А; 0,81Вт; SC70-6" 1.

SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1427EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусSC70
‍71‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI1427EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD
0.0
SI1443EDH-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
‍90‍ ₽
Доступность: 1850 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
0.0
SI2301A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Доступность: 1257 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23
0.0
SI2301BDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍81‍ ₽
Доступность: 1 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
0.0
SI2301CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍79‍ ₽
Доступность: 4658 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23
0.0
SI2303CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍98‍ ₽
Доступность: 1750 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23
0.0
SI2305B-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍56‍ ₽
Доступность: 5723 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
0.0
SI2305CDS
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍23‍ ₽
Доступность: 3 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
0.0
SI2305CDS-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍82‍ ₽
Доступность: 2048 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А" 1.

SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт
0.0
SI2307-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍72‍ ₽
Доступность: 3083 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
0.0
SI2307BDS-T1-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
‍147‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SI2307BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)