Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 65

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусDFN1006-3, SOT883
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZ320UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -600мА; Idm: -4А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусDFN1006-3, SOT883
43.58 
Доступность: 4763 шт.
 

Минимальное количество для товара "PMZ350UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1006-3, SOT883
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZ950UPELYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1006-3, SOT883
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZ950UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,2нC КорпусDFN1006B-3, SOT883B МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZB1200UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -260мА; Idm: -1,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусDFN1006B-3, SOT883B МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZB320UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -600мА; Idm: -4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусDFN1006B-3, SOT883B МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZB350UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -700мА; Idm: -2,8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,14нC КорпусDFN1006B-3, SOT883B МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZB670UPE,315, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -425мА; Idm: -2,7А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусDFN1006B-3, SOT883B МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "PMZB950UPEYL, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -300мА; Idm: -2А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
65.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U21TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
69.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U23TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
76.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U26TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,2нC КорпусTSOT25
151.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U27TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,8нC КорпусTSOT25
108.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U28TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,4нC КорпусTSOT25
104.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS5U33TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -2А; Idm: -8А; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
77.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U22TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
87.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "QS6U24TR, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -30В; -1А; Idm: -2А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора37нC КорпусTUMT3
97.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAF040P01TCL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4А; Idm: -16А; 800мВт; TUMT3" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусTUMT6
105.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAL035P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3,5А; Idm: -12А; 1Вт; TUMT6" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусTSMT6
89.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RAQ045P01TCR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -18А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж