Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 69

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
166.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0620N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1Вт; TO92" 1000.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
169.91 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
115.27 
Доступность: 512 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
119.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
247.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
225.30 
Доступность: 789 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
250.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
85.33 
Доступность: 297 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
253.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
250.00 
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
369.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
306.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 1Вт; TO92" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.73 
Доступность: 86 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
136.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусSOP8 МонтажSMD
184.13 
Доступность: 1632 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора5,45нC КорпусSO8
244.01 
Доступность: 61 шт.
 

Минимальное количество для товара "TPS1100D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT323 МонтажSMD
52.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TQM84KCU RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -160мА; 300мВт; SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD
48.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TQM84KCX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора56нC КорпусSOP8 МонтажSMD
230.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TSM085P03CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -13А; 2,8Вт; SOP8" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж