Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 72

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1441EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -4А; Idm: -25А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSC70
81.04 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI1443EDH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1467DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,5нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1469DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,7А; Idm: -8А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусSC70-6, SOT363 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI1499DH-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -1,6А; Idm: -6,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.63 
Доступность: 903 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301A-TP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -2,4А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.63 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301BDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -10А; 0,45Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -3,1А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
71.10 
Доступность: 4185 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-BE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
88.69 
Доступность: 110 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15нC КорпусSOT23 МонтажSMD
50.46 
Доступность: 5041 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305B-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,2А; 1,4Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
20.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT23 МонтажSMD
74.16 
Доступность: 6038 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2305CDS-T1-GE3, Полевой транзистор P-канальный MOSFET (TrenchFET®), напряжение -8 В, ток -3,5 А, импульсный ток до -20 А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
64.98 
Доступность: 2338 шт.
 

Минимальное количество для товара "SI2307-TP, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -12А; 1,1Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж