Товары из категории транзисторы с каналом типа p, стр.58

Производитель

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
TSM3401CX-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,52нC КорпусSOT23 МонтажSMD
128.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM3401CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3А; 800мВт; SOT23" 1.

0.0
TSM3443CX6-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9нC КорпусSOT26 МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM3443CX6 RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 1,3Вт; SOT26" 1.

0.0
TSM4425CS-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора64нC КорпусSOP8 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM4425CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 1,6Вт; SOP8" 1.

0.0
TSM480P06CP-ROG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора22,4нC КорпусDPAK МонтажSMD
150.99 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM480P06CP ROG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13А; 40Вт; DPAK" 1.

0.0
TSM500P02CX-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
59.29 
Доступность: 474 шт.
+

Минимальное количество для товара "TSM500P02CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23" 1.

0.0
TSM650P02CX-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора6,4нC КорпусSOT23 МонтажSMD
80.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM650P02CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23" 1.

0.0
TSM650P03CX-RFG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.73 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "TSM650P03CX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23" 1.

0.0
TSM680P06CP-ROG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора16,4нC КорпусDPAK МонтажSMD
139.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM680P06CP ROG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 20Вт; DPAK" 1.

0.0
TSM7P06CP-ROG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора8,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
113.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM7P06CP ROG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -4,4А; 15,6Вт; DPAK" 1.

0.0
TSM9409CS-RLG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора6нC КорпусSOP8 МонтажSMD
162.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "TSM9409CS RLG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,5А; 2,1Вт; SOP8" 1.

0.0
VP0104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
139.13 
Доступность: 514 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP0104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
210.28 
Доступность: 843 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP0106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0109N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
218.18 
Доступность: 60 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP0109N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -90В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0550N3-G-P013
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
298.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G-P013, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0550N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
85.38 
Доступность: 579 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0808L-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
271.94 
Доступность: 295 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP0808L-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,1А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP2106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
154.94 
Доступность: 654 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP2110K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
134.39 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
VP2206N2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
4 166.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39" 1.

0.0
VP2206N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
450.59 
Доступность: 42 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
VP2450N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
284.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт" 1.

0.0
VP2450N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
398.42 
Доступность: 163 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт" 1.

0.0
VP3203N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
336.76 
Доступность: 145 шт.
+

Минимальное количество для товара "VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
VP3203N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
352.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (23)
Хиты продаж