Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 58

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10,1нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
61.16 
Доступность: 1826 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTS4173PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
178.90 
Доступность: 710 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
438.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5A160PLZT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; 100А; 200Вт; DFN5x6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
73.39 
Доступность: 493 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
152.14 
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
57.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR4502PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,56А; 1,25Вт; SOT23" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
38.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX2301P,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 400мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
19.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBK,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,23А; 420мВт; SOT23,TO236AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC88, SOT363, TSSOP6 МонтажSMD
40.52 
Доступность: 3266 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKS,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 80мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSOT666 МонтажSMD
58.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKV,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,22А; 330мВт; SOT666" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,72нC КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
34.40 
Доступность: 1836 шт.
 

Минимальное количество для товара "NX3008PBKW,115, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,2А; 260мВт; SC70,SOT323" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,8нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
53.52 
Доступность: 2172 шт.
 

Минимальное количество для товара "NXV65UPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
64.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NXV90EPR, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1А; Idm: -6А; 340мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусSOT23 МонтажSMD
46.64 
Доступность: 1783 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3401A_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -14,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23 МонтажSMD
41.28 
Доступность: 2314 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3403_R1_00001, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,1А; Idm: -12,4А; 1,25Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23 МонтажSMD
61.16 
Доступность: 2864 шт.
 

Минимальное количество для товара "PJA3405-AU_R1_000A1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -14,4А; 1,25Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж