Товары из категории транзисторы с каналом типа p - страница 69

Производитель
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора39нC КорпусSOP8
340.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RRS100P03HZGTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; Idm: -40А; 2Вт; SOP8; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1E220ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1G201ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -78А; Idm: -80А; 40Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS1L151ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -56А; Idm: -60А; 40Вт; HSOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC КорпусSOP8 МонтажSMD
96.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E075ATTB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,5А; Idm: -30А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3E180ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -72А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,12мкC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3G160ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -16А; Idm: -64А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора115нC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RS3L110ATTB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; Idm: -44А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSC002P03T316, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,25А; 200мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,3нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
97.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSF010P05TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -1А; Idm: -4А; 800мВт; TUMT3" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05GZETB, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусSOP8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSH070P05TB1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -7А; Idm: -28А; 2Вт; SOP8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусD2PAK МонтажSMD
258.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ151P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; Idm: -30А; 50Вт; D2PAK" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусTO263
298.17 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10FRATL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; TO263" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусD2PAK МонтажSMD
477.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSJ250P10TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -25А; Idm: -50А; 50Вт; D2PAK" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
48.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSM002P03T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
139.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
147.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ015P10HZGTR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; Idm: -6А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,4нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ025P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,2нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
56.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RSQ035P03FRATR, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,5А; Idm: -14А; 1,25Вт; TSMT6" 3.

Показать еще 20 товаров

Транзисторы с каналом типа P — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в схемах с общим плюсом, где требуется управление верхнего плеча (high-side switching), например, в источниках питания, драйверах, логических схемах и системах резервного питания.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа P от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж