Товары из категории транзисторы униполярные - страница 262

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT260N10S5N019ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 260А; 300Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора231нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N011ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 52А; Idm: 1505А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора178нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
866.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N012ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора60нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N08S5N014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 300Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора216нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N10S5N014ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 46А; Idm: 1315А; 375Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора68нC КорпусPG-HSOF-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUT300N10S5N015ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ18N10S5L420ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 13А; Idm: 72А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ20N08S5L300ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 14А; Idm: 80А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,1нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ30N08S5N186ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7А; Idm: 120А; 41Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ30N10S5L240ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 22А; Idm: 120А; 45,5Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36,7нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5L050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 252А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30,5нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N050ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 14А; Idm: 241А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16,3нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N06S5N105ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; Idm: 120А; 42Вт; PG-TSDSON-8" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24,2нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N08S5N100ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 40А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22,6нC КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5L120ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9А; Idm: 160А; 62Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IAUZ40N10S5N130ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 160А; 68Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-DSO-20
5 019.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGOT60R070D1AUMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора5,8нC КорпусPG-HSOF-8-3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R070D1ATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 31А; Idm: 60А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,2нC КорпусPG-HSOF-8-3
1 197.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO247 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-7...20В
7 493.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IMW120R014M1HXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 89,3А; Idm: 267,9А; 227Вт" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж