Товары из категории транзисторы униполярные - страница 257

Производитель
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора54нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 487.00 
Доступность: 453 шт.
 

Минимальное количество для товара "G3R75MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора22нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
4 731.65 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "GAN041-650WSBQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкитуба Заряд затвора15нC КорпусSOT429, TO247 МонтажTHT
3 116.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN063-650WSAQ, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора6,2нC КорпусDFN8080-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN080-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC КорпусDFN8080-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора3,5нC КорпусDFN5060-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN140-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 17А; Idm: 32А; 113Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC КорпусDFN8080-8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650EBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора2,8нC КорпусDFN5060-5
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN190-650FBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора12нC КорпусWLCSP8
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN3R2-100CBEAZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 100В; 60А; Idm: 230А; 394Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид транзистораHEMT Вид упаковкилента Заряд затвора7,6нC КорпусFCLGA3
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GAN7R0-150LBEZ, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 150В; 28А; Idm: 120А; 28Вт" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора22нC КорпусDFN8080 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65C0YME, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид транзистораHEMT, каскодный Вид упаковкилента Заряд затвора38нC КорпусDFN8080 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "GPT65Z4YMR, Транзистор: N-JFET/N-MOSFET; GaN; полевой; HEMT,каскодный; 650В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
255.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
97.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
78.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
301.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
148.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
128.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора44нC КорпусTO220AB МонтажTHT
204.89 
Доступность: 97 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75321P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 31А; 93Вт; TO220AB" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора85нC КорпусTO220AB МонтажTHT
326.45 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "HUF75332P3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 60А; 145Вт; TO220AB" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж