Товары из категории транзисторы униполярные - страница 277

Производитель
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
77.22 
Доступность: 782 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD135N03LGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
292.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD200N15N3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 40А; Idm: 200А; 150Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD25CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А; 71Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD25N06S4L30ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 17А; Idm: 92А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина Заряд затвора10нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD26N06S2L35ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 22А; Idm: 120А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора15нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N03S4L09ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 30А; 42Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
318.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N08S222ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток75В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N08S2L21ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS®; полевой; 75В; 30А; Idm: 120А; 136Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD30N10S3L34ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 20А; Idm: 120А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD33CN10NGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 108А; 58Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
220.95 
Доступность: 1522 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD350N06LGBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт; PG-TO252-3" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 25А; Idm: 140А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 40В; 47А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-16...20В Напряжение сток-исток40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N04S4L08ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 40В; 49А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N06S409ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток60В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L08ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; полевой; 60В; 47А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный Заряд затвора30нC КорпусPG-TO252-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В
227.06 
Доступность: 1611 шт.
 

Минимальное количество для товара "IPD50N06S4L12ATMA2, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 36А; 50Вт" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50N10S3L16ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS® -T; полевой; 100В; 38А; Idm: 200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-11 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-5...16В Напряжение сток-исток-30В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P03P4L11ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А" 1.

Вид каналаобогащенный КорпусPG-TO252-3-313 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток-40В
0.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "IPD50P04P413ATMA1, Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -45А; Idm: -200А" 1.

Показать еще 20 товаров

Униполярные транзисторы (полевые транзисторы, FET) — это полупроводниковые приборы, в которых управление током осуществляется электрическим полем через изолированный затвор.

В отличие от биполярных, они потребляют почти нулевой ток управления, что делает их идеальными для высокочастотных, энергоэффективных и цифровых схем.

Наиболее распространённый тип — **MOSFET** (Metal-Oxide-Semiconductor FET), широко используемый в импульсных источниках питания, драйверах двигателей, DC-DC преобразователях и инверторах.

Мы предлагаем качественные униполярные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте высокую эффективность и надёжность — выбирайте профессиональные MOSFET на 7-el.ru!

Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж